RSD201N10FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD201N10FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RSD201N10FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD201N10FRA даташит

 ..1. Size:892K  rohm
 rsd201n10fra.pdf pdf_icon

RSD201N10FRA

RSD201N10FRA Nch 100V 20A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS 100V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 46mW (3) ID 20A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. *1 (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (1) (3) Source 3) Drive circuits can be simple. *2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.

 5.1. Size:366K  rohm
 rsd201n10.pdf pdf_icon

RSD201N10FRA

RSD201N10 Nch 100V 20A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 100V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 46mW (3) ID 20A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. *1 (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (1) (3) Source 3) Drive circuits can be simple. *2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy. *2 BODY DIODE 5) Pb-f

 9.1. Size:241K  rohm
 rsd200n10.pdf pdf_icon

RSD201N10FRA

4V Drive Nch MOSFET RSD200N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. (1)Base(Gate) Applications (2)Collector(Drain) Switching (

 9.2. Size:1197K  rohm
 rsd200n05.pdf pdf_icon

RSD201N10FRA

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD200N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner circu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RSD131P10, RSD131P10FRA, RSD140P06FRA, RSD150N06FRA, RSD160P05FRA, RSD175N10FRA, RSD200N10TL, RSD201N10, IRF4905, RSD221N06, RSD221N06FRA, RSE002P03TL, RSF010P03TL, RSF014N03TL, RSH065N03TB1, RSH065N06TB1, RSH070N05TB1