RSH110N03TB1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSH110N03TB1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RSH110N03TB1 datasheet

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RSH110N03TB1

4V Drive Nch MOSFET RSH110N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package

Otros transistores... RSF010P03TL, RSF014N03TL, RSH065N03TB1, RSH065N06TB1, RSH070N05TB1, RSH070P05TB1, RSH090N03TB1, RSH100N03TB1, 5N65, RSJ151P10, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, RSL020P03FRA, RSL020P03TR, RSM002P03T2L, RSM5853P, RSQ015N06TR