RSH110N03TB1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSH110N03TB1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSH110N03TB1

RSH110N03TB1 Datasheet (PDF)

..1. Size:166K rohm
rsh110n03tb1.pdf

4V Drive Nch MOSFET RSH110N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package

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Liste

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