RSJ400N10 Todos los transistores

 

RSJ400N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSJ400N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-83
 

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RSJ400N10 datasheet

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RSJ400N10

RSJ400N10 Nch 100V 40A Power MOSFET Datasheet lOutline (2) VDSS 100V LPTS (SC-83) RDS(on) (Max.) 27mW ID 40A (1) PD 50W (3) lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. (1) Gate *1 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple. *2 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead pl

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RSJ400N10

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 10V Drive Nch MOSFET RSJ400N06 RSJ400N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High current 2.54 0.4 0.78 3) High power Package 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Co

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RSJ400N10

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RSJ400N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High current 2.54 0.4 0.78 3) High power Package 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Code TL Basic ordering unit (pieces

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