RSL020P03TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSL020P03TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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RSL020P03TR datasheet

 ..1. Size:340K  rohm
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RSL020P03TR

RSL020P03 Transistors 4V Drive Pch MOS FET RSL020P03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TUMT6 2.0 0.85Max. 1.3 0.77 0.65 0.65 Features (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 0 0.1 2) High speed switching. (1) (2) (3) 0.17 0.3 Applications Abbreviated symbol SL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) P

 5.1. Size:939K  rohm
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RSL020P03TR

RSL020P03FRA RSL020P03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSL020P03FRA RSL020P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. Applications Abbreviated symbol SL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pi

Otros transistores... RSH070P05TB1, RSH090N03TB1, RSH100N03TB1, RSH110N03TB1, RSJ151P10, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, RSL020P03FRA, CS150N03A8, RSM002P03T2L, RSM5853P, RSQ015N06TR, RSQ020N03FRA, RSQ020N03TR, RSQ025P03FRA, RSQ025P03TR, RSQ030P03TR