RSL020P03TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSL020P03TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RSL020P03TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSL020P03TR даташит

 ..1. Size:340K  rohm
 rsl020p03tr.pdf pdf_icon

RSL020P03TR

RSL020P03 Transistors 4V Drive Pch MOS FET RSL020P03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TUMT6 2.0 0.85Max. 1.3 0.77 0.65 0.65 Features (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 0 0.1 2) High speed switching. (1) (2) (3) 0.17 0.3 Applications Abbreviated symbol SL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) P

 5.1. Size:939K  rohm
 rsl020p03fra.pdf pdf_icon

RSL020P03TR

RSL020P03FRA RSL020P03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSL020P03FRA RSL020P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. Applications Abbreviated symbol SL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pi

Другие IGBT... RSH070P05TB1, RSH090N03TB1, RSH100N03TB1, RSH110N03TB1, RSJ151P10, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, RSL020P03FRA, CS150N03A8, RSM002P03T2L, RSM5853P, RSQ015N06TR, RSQ020N03FRA, RSQ020N03TR, RSQ025P03FRA, RSQ025P03TR, RSQ030P03TR