RSM002P03T2L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSM002P03T2L
   Código: WP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: VMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSM002P03T2L

RSM002P03T2L Datasheet (PDF)

..1. Size:62K rohm
rsm002p03t2l.pdf

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET VMT31.20.32 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.130.4 0.43) 4V drive. 0.50.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : WP ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping

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8.1. Size:171K rohm
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2.5V Drive Nch MOSFET RSM002N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RK ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 8000RSM002N06

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: