RSQ015N06TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSQ015N06TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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RSQ015N06TR datasheet

 ..1. Size:618K  rohm
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RSQ015N06TR

RSQ015N06 Nch 60V 1.5A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS TSMT6 60V (5) (4) RDS(on) (Max.) 290mW (1) ID 1.5A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit (1) Drain 1) Low on - resistance. (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

 5.1. Size:216K  rohm
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RSQ015N06TR

4V Drive Nch MOSFET RSQ015N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 0 0.1 2) Small Surface Mount Package (TSMT6). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Abbreviated symbol PX Application Inner circuit Switching (6) (5) (4) 2 Packaging specifications Package T

 8.1. Size:1259K  rohm
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RSQ015N06TR

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSQ015P10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive(4V). 3) Small surface mount package (TSMT6). Abbreviated symbol ZN Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR 2 Basic ordering unit (p

Otros transistores... RSH110N03TB1, RSJ151P10, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, RSL020P03FRA, RSL020P03TR, RSM002P03T2L, RSM5853P, STP80NF70, RSQ020N03FRA, RSQ020N03TR, RSQ025P03FRA, RSQ025P03TR, RSQ030P03TR, RSQ035N03FRA, RSQ035N03TR, RSQ035P03FRA