RSQ030P03TR Todos los transistores

 

RSQ030P03TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSQ030P03TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
     - Selección de transistores por parámetros

 

RSQ030P03TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  rohm
 rsq030p03tr.pdf pdf_icon

RSQ030P03TR

RSQ030P03 Transistor DC-DC Converter (-30V, -3A) RSQ030P03 External dimensions (Units : mm) Features 1) Low On-resistance.(90m at 4.5V) 2) High Power Package. TSMT62.83) High speed switching. 1.64) Low voltage drive.(4.5V) Each lead has same dimensionsAbbreviatedsymbol : TN Applications DC-DC converter Equivalent circuit Structure Silicon P-channel

 9.1. Size:96K  rohm
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RSQ030P03TR

RSQ035P03 Transistor 4V Drive Pch MOS FET RSQ035P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(65m at 4.5V) 2) High Power Package. 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage drive. (4V) 0.160.4Each lead has same dimensionsA

 9.2. Size:952K  rohm
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RSQ030P03TR

RSQ035P03FRARSQ035P03TransistorAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOS FET RSQ035P03FRARSQ035P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFETTSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(65m at 4.5V) 2) High Power Package. 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage drive. (4V)

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 rsq035n03fra.pdf pdf_icon

RSQ030P03TR

RSQ035N03FRARSQ035N03TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOS FET RSQ035N03RSQ035N03FRA Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)1pin mark0.160.4 ApplicationsEach lead

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History: BLF6G27-100 | SMC3407 | HCFL60R190

 

 
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