RSR010N10FHA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSR010N10FHA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: TSMT3

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RSR010N10FHA datasheet

 ..1. Size:1110K  rohm
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RSR010N10FHA

RSR010N10FHA Nch 100V 1A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS TSMT3 100V (3) RDS(on) (Max.) 520mW (1) ID 1.0A PD 1.0W (2) lFeatures lInner circuit (1) Gate 1) Low on - resistance. (2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BO

 5.1. Size:1162K  rohm
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RSR010N10FHA

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSR010N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features (3) 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). Abbreviated symbol ZJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code TL Basic ordering

 9.1. Size:241K  rohm
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RSR010N10FHA

Otros transistores... RSQ025P03TR, RSQ030P03TR, RSQ035N03FRA, RSQ035N03TR, RSQ035P03FRA, RSQ035P03TR, RSQ045N03FRA, RSQ045N03TR, SI2302, RSR015P03TL, RSR020N06TL, RSR020P03, RSR020P03TL, RSR020P05, RSR020P05FRA, RSR025N03FRA, RSR025N03TL