Справочник MOSFET. RSR010N10FHA

 

RSR010N10FHA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSR010N10FHA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RSR010N10FHA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR010N10FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1110K  rohm
 rsr010n10fha.pdf pdf_icon

RSR010N10FHA

RSR010N10FHA Nch 100V 1A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS TSMT3 100V(3) RDS(on) (Max.)520mW(1) ID1.0APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BO

 5.1. Size:1162K  rohm
 rsr010n10.pdf pdf_icon

RSR010N10FHA

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSR010N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT3Features (3)1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2)3) Small Surface Mount Package (TSMT3).Abbreviated symbol : ZJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode TLBasic ordering

 9.1. Size:241K  rohm
 rsr015p03tl.pdf pdf_icon

RSR010N10FHA

Другие MOSFET... RSQ025P03TR , RSQ030P03TR , RSQ035N03FRA , RSQ035N03TR , RSQ035P03FRA , RSQ035P03TR , RSQ045N03FRA , RSQ045N03TR , IRFZ46N , RSR015P03TL , RSR020N06TL , RSR020P03 , RSR020P03TL , RSR020P05 , RSR020P05FRA , RSR025N03FRA , RSR025N03TL .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.