RSS050P03TB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSS050P03TB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSS050P03TB
RSS050P03TB Datasheet (PDF)
rss050p03fu6tb rss050p03tb.pdf
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crst060n10n crss057n10n.pdf
CRST060N10N, CRSS057N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 5.3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)5.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested
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History: MRF177
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