RSS050P03TB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSS050P03TB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RSS050P03TB datasheet

 ..1. Size:83K  rohm
 rss050p03fu6tb rss050p03tb.pdf pdf_icon

RSS050P03TB

RSS050P03 Transistors Switching (-30V, -5.0A) RSS050P03 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low On-resistance. SOP8 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). 3.9 Application 6.0 Power switching, DC / DC converter. 0.4Min. Each lead has same dimensions Structure Silicon P-channel MOS FET Packaging specifications Eq

 9.1. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

RSS050P03TB

CRST055N08N, CRSS052N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 1

 9.2. Size:564K  crhj
 crst060n10n crss057n10n.pdf pdf_icon

RSS050P03TB

CRST060N10N, CRSS057N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 5.3m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 5.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

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