RSS110N03TB Todos los transistores

 

RSS110N03TB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSS110N03TB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0104 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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RSS110N03TB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  rohm
 rss110n03fu6tb rss110n03tb.pdf pdf_icon

RSS110N03TB

RSS110N03 Transistor Switching (30V, 11A) RSS110N03 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. SOP85.00.22) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). 0.20.1 Applications (1)Source(2)SourcePower switching, DC/DC converter. (3)Source(4)Gate0.40.11.27(5)Drain0.1(6)DrainEach lead has same dim

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History: BUK9616-55A | IXTH40N50L2 | HGS750N15M | 2N7002P | 6N80L-TF3-T | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
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