RSS110N03TB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSS110N03TB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RSS110N03TB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSS110N03TB даташит

 ..1. Size:58K  rohm
 rss110n03fu6tb rss110n03tb.pdf pdf_icon

RSS110N03TB

RSS110N03 Transistor Switching (30V, 11A) RSS110N03 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. SOP8 5.0 0.2 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). 0.2 0.1 Applications (1)Source (2)Source Power switching, DC/DC converter. (3)Source (4)Gate 0.4 0.1 1.27 (5)Drain 0.1 (6)Drain Each lead has same dim

Другие IGBT... RSS090P03FU6TB, RSS090P03TB, RSS095N05, RSS100N03FU6TB, RSS100N03TB, RSS105N03FU6TB, RSS105N03TB, RSS110N03FU6TB, IRF740, RSS120N03FU6TB, RSS120N03TB, RSS125N03FU6TB, RSS125N03TB, RSS130N03FU6TB, RSS130N03TB, RSS140N03TB, RSU002P03T106