RSS130N03FU6TB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSS130N03FU6TB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 25 nC
   Tiempo de subida (tr): 30 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 605 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0081 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSS130N03FU6TB

RSS130N03FU6TB Datasheet (PDF)

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rss130n03fu6tb rss130n03tb.pdf

RSS130N03 Transistors Switching (30V, 13A) RSS130N03 Features External dimensions (Unit : mm) 1) Low on-resistance. SOP82) Built-in G-S Protection Diode. 5.00.23) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application 0.20.1Power switching, DC/DC converter. 0.40.11.270.1 Structure Each lead has same dimensionsSilicon N-channel MOS FET Equivalent circui

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: