RSS130N03TB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSS130N03TB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 605 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0081 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RSS130N03TB datasheet

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RSS130N03TB

RSS130N03 Transistors Switching (30V, 13A) RSS130N03 Features External dimensions (Unit mm) 1) Low on-resistance. SOP8 2) Built-in G-S Protection Diode. 5.0 0.2 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application 0.2 0.1 Power switching, DC/DC converter. 0.4 0.1 1.27 0.1 Structure Each lead has same dimensions Silicon N-channel MOS FET Equivalent circui

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