Справочник MOSFET. RSS130N03TB

 

RSS130N03TB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSS130N03TB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RSS130N03TB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSS130N03TB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  rohm
 rss130n03fu6tb rss130n03tb.pdf pdf_icon

RSS130N03TB

RSS130N03 Transistors Switching (30V, 13A) RSS130N03 Features External dimensions (Unit : mm) 1) Low on-resistance. SOP82) Built-in G-S Protection Diode. 5.00.23) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application 0.20.1Power switching, DC/DC converter. 0.40.11.270.1 Structure Each lead has same dimensionsSilicon N-channel MOS FET Equivalent circui

Другие MOSFET... RSS105N03TB , RSS110N03FU6TB , RSS110N03TB , RSS120N03FU6TB , RSS120N03TB , RSS125N03FU6TB , RSS125N03TB , RSS130N03FU6TB , IRF640 , RSS140N03TB , RSU002P03T106 , RSY200N05TL , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , RT3J22M , RT3J33M .

History: CJ3139KDW | IXTQ96N15P

 

 
Back to Top

 


 
.