RT3J22M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3J22M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SC-88

 Búsqueda de reemplazo de RT3J22M MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RT3J22M datasheet

 ..1. Size:147K  isahaya
 rt3j22m.pdf pdf_icon

RT3J22M

PRELIMINARY RT3J22M Composite Transistor For high speed switching Silicon -channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3J22M is a composite transistor built with two INJ0002AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low volt

Otros transistores... RSS130N03FU6TB, RSS130N03TB, RSS140N03TB, RSU002P03T106, RSY200N05TL, RT1A040ZPTR, RT1A050ZPTR, RT3J11M, IRFP260N, RT3J33M, RT3J55M, RT3K11M, RT3K22M, RT3K33M, RT3K44M, RT3K66M, RT3U11M