RT3J22M Todos los transistores

 

RT3J22M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3J22M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

 Búsqueda de reemplazo de RT3J22M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RT3J22M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  isahaya
 rt3j22m.pdf pdf_icon

RT3J22M

PRELIMINARY RT3J22MComposite Transistor For high speed switchingSilicon -channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3J22M is a composite transistor built with two INJ0002AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low volt

Otros transistores... RSS130N03FU6TB , RSS130N03TB , RSS140N03TB , RSU002P03T106 , RSY200N05TL , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , IRFP260N , RT3J33M , RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M .

History: 3SK102

 

 
Back to Top

 


 
.