RT3K33M Todos los transistores

 

RT3K33M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3K33M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

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RT3K33M Datasheet (PDF)

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RT3K33M

RT3K33MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3K33M is a composite transistor built with two INK0003AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth

Otros transistores... RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , RT3J22M , RT3J33M , RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M , P55NF06 , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M , RT3U22M , RT3U33M , RTE002P02TL , RTF010P02 , RTF010P02TL .

History: 2N65KG-TF3-T | RT3J22M | IXZ2210N50L | RT3J33M | RT3K22M | AP9971AGJ-HF | UT70N03L

 

 
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