RT3K33M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3K33M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: SC-88

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RT3K33M datasheet

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RT3K33M

RT3K33M Composite Transistor For high speed switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3K33M is a composite transistor built with two INK0003AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth

Otros transistores... RT1A040ZPTR, RT1A050ZPTR, RT3J11M, RT3J22M, RT3J33M, RT3J55M, RT3K11M, RT3K22M, AON6414A, RT3K44M, RT3K66M, RT3U11M, RT3U22M, RT3U33M, RTE002P02TL, RTF010P02, RTF010P02TL