RT3U22M Todos los transistores

 

RT3U22M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3U22M
   Código: U22
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-88
     - Selección de transistores por parámetros

 

RT3U22M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  isahaya
 rt3u22m.pdf pdf_icon

RT3U22M

PRELIMINARY RT3U22MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel + P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3U22M is a composite transistor built withINK0002AX and INJ0002AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVSP14N60TD2 | IXTU2N80P

 

 
Back to Top

 


 
.