RT3U22M - аналоги и даташиты транзистора

 

RT3U22M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RT3U22M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3U22M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3U22M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  isahaya
 rt3u22m.pdf pdf_icon

RT3U22M

PRELIMINARY RT3U22MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel + P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3U22M is a composite transistor built withINK0002AX and INJ0002AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive

Другие MOSFET... RT3J33M , RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M , IRF630 , RT3U33M , RTE002P02TL , RTF010P02 , RTF010P02TL , RTF015N03TL , RTF015P02TL , RTF020P02 , RTF020P02TL .

History: RT3U33M | SJMN250R80ZP | RSF014N03 | ME80N08AH-G | BUK755R4-100E

 

 
Back to Top

 


 
.