RT3U22M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RT3U22M
Маркировка: U22
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 6.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: SC-88
RT3U22M Datasheet (PDF)
rt3u22m.pdf
PRELIMINARY RT3U22MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel + P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3U22M is a composite transistor built withINK0002AX and INJ0002AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918