RTL020P02FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTL020P02FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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RTL020P02FRA datasheet

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RTL020P02FRA

RTL020P02FRA RTL020P02 Transistors AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Pch MOSFET RTL020P02FRA RTL020P02 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel TUMT6 MOSFET Features 1) Low on-resistance. (180m at 2.5V) 2) High power package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (2.5V) Abbreviated symbol WU Applications DC-DC converter Packaging specificatio

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RTL020P02FRA

RTL020P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -2.0A) RTL020P02 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. (80m at 2.5V) TUMT6 2.0 0.1 0.85MAX 2) High power package. 0.3+0.1 0.77 0.05 -0.05 3) High speed switching. (6) (5) (4) 4) Low voltage drive. (2.5V) 0 0.1 (1) (2) (3) (1) Drain Applications 0.65 0.65 0.17 0.05 (2) Drain 1pin mark

Otros transistores... RTF010P02, RTF010P02TL, RTF015N03TL, RTF015P02TL, RTF020P02, RTF020P02TL, RTF025N03FRA, RTF025N03TL, IRLB4132, RTL020P02TR, RTL030P02TR, RTL035N03FRA, RTL035N03TR, RTM002P02T2L, RTP315N10F7, RTQ020N03FRA, RTQ020N03TR