RTL020P02FRA Todos los transistores

 

RTL020P02FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RTL020P02FRA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

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RTL020P02FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:955K  rohm
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RTL020P02FRA

RTL020P02FRARTL020P02TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Pch MOSFETRTL020P02FRARTL020P02 Dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel TUMT6MOSFET Features 1) Low on-resistance. (180m at 2.5V) 2) High power package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (2.5V) Abbreviated symbol : WU ApplicationsDC-DC converter Packaging specificatio

 5.1. Size:89K  rohm
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RTL020P02FRA

RTL020P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -2.0A) RTL020P02 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. (80m at 2.5V) TUMT62.00.1 0.85MAX2) High power package. 0.3+0.1 0.770.05-0.053) High speed switching. (6) (5) (4)4) Low voltage drive. (2.5V) 0~0.1(1) (2) (3)(1) Drain Applications 0.65 0.650.170.05(2) Drain1pin mark

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History: TF215 | HAT3010R | SI4668DY | 4N70KG-TF2-T

 

 
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