Справочник MOSFET. RTL020P02FRA

 

RTL020P02FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTL020P02FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для RTL020P02FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTL020P02FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:955K  rohm
 rtl020p02fra.pdf pdf_icon

RTL020P02FRA

RTL020P02FRARTL020P02TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Pch MOSFETRTL020P02FRARTL020P02 Dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel TUMT6MOSFET Features 1) Low on-resistance. (180m at 2.5V) 2) High power package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (2.5V) Abbreviated symbol : WU ApplicationsDC-DC converter Packaging specificatio

 5.1. Size:89K  rohm
 rtl020p02tr.pdf pdf_icon

RTL020P02FRA

RTL020P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -2.0A) RTL020P02 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. (80m at 2.5V) TUMT62.00.1 0.85MAX2) High power package. 0.3+0.1 0.770.05-0.053) High speed switching. (6) (5) (4)4) Low voltage drive. (2.5V) 0~0.1(1) (2) (3)(1) Drain Applications 0.65 0.650.170.05(2) Drain1pin mark

Другие MOSFET... RTF010P02 , RTF010P02TL , RTF015N03TL , RTF015P02TL , RTF020P02 , RTF020P02TL , RTF025N03FRA , RTF025N03TL , 5N60 , RTL020P02TR , RTL030P02TR , RTL035N03FRA , RTL035N03TR , RTM002P02T2L , RTP315N10F7 , RTQ020N03FRA , RTQ020N03TR .

History: HGI200N10SL | AP99LT06GI-HF | 30N06L-TN3-R | JCS5AN50V | LSB60R030HT | BUK9507-30B | AM2359PE

 

 
Back to Top

 


 
.