RTL030P02TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RTL030P02TR
   Código: WN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RTL030P02TR

RTL030P02TR Datasheet (PDF)

..1. Size:77K rohm
rtl030p02tr.pdf

RTL030P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -3.0A) RTL030P02 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. (80m at 2.5V) TUMT62.00.1 0.85MAX2) High power package. 0.3+0.1 0.770.05-0.053) High speed switching. (6) (5) (4)4) Low voltage drive. (2.5V) 0~0.1(1) (2) (3)(1) Drain Applications 0.65 0.650.170.05(2) Drain1pin mark

9.1. Size:919K rohm
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RTL035N03FRARTL035N03TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOSFETRTL035N03FRARTL035N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : PM ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit

9.2. Size:63K rohm
rtl035n03.pdf

RTL035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOSFET RTL035N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : PM ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code T

9.3. Size:61K rohm
rtl035n03tr.pdf

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