Справочник MOSFET. RTL030P02TR

 

RTL030P02TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTL030P02TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RTL030P02TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  rohm
 rtl030p02tr.pdf pdf_icon

RTL030P02TR

RTL030P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -3.0A) RTL030P02 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. (80m at 2.5V) TUMT62.00.1 0.85MAX2) High power package. 0.3+0.1 0.770.05-0.053) High speed switching. (6) (5) (4)4) Low voltage drive. (2.5V) 0~0.1(1) (2) (3)(1) Drain Applications 0.65 0.650.170.05(2) Drain1pin mark

 9.1. Size:919K  rohm
 rtl035n03fra.pdf pdf_icon

RTL030P02TR

RTL035N03FRARTL035N03TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOSFETRTL035N03FRARTL035N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : PM ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit

 9.2. Size:63K  rohm
 rtl035n03.pdf pdf_icon

RTL030P02TR

RTL035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOSFET RTL035N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : PM ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code T

 9.3. Size:61K  rohm
 rtl035n03tr.pdf pdf_icon

RTL030P02TR

RTL035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOSFET RTL035N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : PM ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 4N65KL-T2Q-R | TK3A60DA | IRF1405ZS | IXFE48N50Q | HAT2043R | SML120L16

 

 
Back to Top

 


 
.