RTL030P02TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTL030P02TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RTL030P02TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTL030P02TR даташит

 ..1. Size:77K  rohm
 rtl030p02tr.pdf pdf_icon

RTL030P02TR

RTL030P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -3.0A) RTL030P02 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. (80m at 2.5V) TUMT6 2.0 0.1 0.85MAX 2) High power package. 0.3+0.1 0.77 0.05 -0.05 3) High speed switching. (6) (5) (4) 4) Low voltage drive. (2.5V) 0 0.1 (1) (2) (3) (1) Drain Applications 0.65 0.65 0.17 0.05 (2) Drain 1pin mark

 9.1. Size:919K  rohm
 rtl035n03fra.pdf pdf_icon

RTL030P02TR

RTL035N03FRA RTL035N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Nch MOSFET RTL035N03FRA RTL035N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol PM Applications Switching Packaging specifications Inner circuit

 9.2. Size:63K  rohm
 rtl035n03.pdf pdf_icon

RTL030P02TR

RTL035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOSFET RTL035N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol PM Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code T

 9.3. Size:61K  rohm
 rtl035n03tr.pdf pdf_icon

RTL030P02TR

RTL035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOSFET RTL035N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol PM Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RTF015N03TL, RTF015P02TL, RTF020P02, RTF020P02TL, RTF025N03FRA, RTF025N03TL, RTL020P02FRA, RTL020P02TR, K3569, RTL035N03FRA, RTL035N03TR, RTM002P02T2L, RTP315N10F7, RTQ020N03FRA, RTQ020N03TR, RTQ020N05TR, RTQ025P02FRA