RTQ020N03TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RTQ020N03TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RTQ020N03TR

RTQ020N03TR Datasheet (PDF)

..1. Size:53K rohm
rtq020n03tr.pdf

RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

5.1. Size:55K rohm
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rtq020n03fra.pdf

RTQ020N03RTQ020N03FRATransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03FRARTQ020N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark

6.1. Size:217K rohm
rtq020n05.pdf

2.5V Drive Nch MOSFET RTQ020N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.71) Low On-resistance. (6) (5) (4)2) Space savingsmall surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions ApplicationsAbbreviated symbo

6.2. Size:1526K rohm
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RTQ020N05HZGDatasheetNch 45V 2A Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-457TVDSS45V SC-95RDS(on)(Max.)190m TSMT6ID2APD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Built-in G-S protection diode3) Small surface mount package(TSMT6)4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant5) AEC-Q101 Qualifiedl

6.3. Size:537K rohm
rtq020n05tr.pdf

RTQ020N05 Nch 45V 2A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS45V(5) TSMT6(4) RDS(on) (Max.)190mW(1) ID2A(2) PD1.25W (3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 E

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: