RTQ020N03TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTQ020N03TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RTQ020N03TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ020N03TR даташит

 ..1. Size:53K  rohm
 rtq020n03tr.pdf pdf_icon

RTQ020N03TR

RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 (1) (2) (3) 3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions

 5.1. Size:55K  rohm
 rtq020n03.pdf pdf_icon

RTQ020N03TR

RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 (1) (2) (3) 3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions

 5.2. Size:913K  rohm
 rtq020n03fra.pdf pdf_icon

RTQ020N03TR

RTQ020N03 RTQ020N03FRA Transistors AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03FRA RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 (1) (2) (3) 3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark

 6.1. Size:217K  rohm
 rtq020n05.pdf pdf_icon

RTQ020N03TR

2.5V Drive Nch MOSFET RTQ020N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 1) Low On-resistance. (6) (5) (4) 2) Space saving small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RTL020P02FRA, RTL020P02TR, RTL030P02TR, RTL035N03FRA, RTL035N03TR, RTM002P02T2L, RTP315N10F7, RTQ020N03FRA, 13N50, RTQ020N05TR, RTQ025P02FRA, RTQ025P02TR, RTQ030P02TR, RTQ035N03FRA, RTQ035N03TR, RTQ035P02FHA, RTQ035P02TR