RTQ045N03FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RTQ045N03FRA
   Código: QM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6

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RTQ045N03FRA Datasheet (PDF)

..1. Size:927K rohm
rtq045n03fra.pdf

RTQ045N03RTQ045N03FRATransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTQ045N03 RTQ045N03FRA External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT6MOS FET1.0MAX2.90.851.90.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small Surface Mount Package (TSMT6) . 0.160.

5.1. Size:66K rohm
rtq045n03.pdf

RTQ045N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ045N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT6MOS FET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small Surface Mount Package (TSMT6) . 0.160.4Each lead has same dimensions Abbreviat

5.2. Size:64K rohm
rtq045n03tr.pdf

9.1. Size:77K rohm
rtq040p02tr.pdf

RTQ040P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -4.0A) RTQ040P02 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. (110m at 2.5V) TSMT62.82) High power package. 1.63) High speed switching. 4) Low voltage drive. (2.5V) (1) Drain Applications (2) DrainDC-DC converter (3) GateEach lead has same dimensions(4) Source(5) Drain(6) Drain Abbrev

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Liste

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