Справочник MOSFET. RTQ045N03FRA

 

RTQ045N03FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTQ045N03FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ045N03FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  rohm
rtq045n03fra.pdfpdf_icon

RTQ045N03FRA

RTQ045N03RTQ045N03FRATransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTQ045N03 RTQ045N03FRA External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT6MOS FET1.0MAX2.90.851.90.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small Surface Mount Package (TSMT6) . 0.160.

 5.1. Size:66K  rohm
rtq045n03.pdfpdf_icon

RTQ045N03FRA

RTQ045N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ045N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT6MOS FET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small Surface Mount Package (TSMT6) . 0.160.4Each lead has same dimensions Abbreviat

 5.2. Size:64K  rohm
rtq045n03tr.pdfpdf_icon

RTQ045N03FRA

RTQ045N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ045N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT6MOS FET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small Surface Mount Package (TSMT6) . 0.160.4Each lead has same dimensions Abbreviat

 9.1. Size:77K  rohm
rtq040p02tr.pdfpdf_icon

RTQ045N03FRA

RTQ040P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -4.0A) RTQ040P02 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. (110m at 2.5V) TSMT62.82) High power package. 1.63) High speed switching. 4) Low voltage drive. (2.5V) (1) Drain Applications (2) DrainDC-DC converter (3) GateEach lead has same dimensions(4) Source(5) Drain(6) Drain Abbrev

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | BSS214NW | TK3A60DA | IRFP152

 

 
Back to Top

 


 
.