RTR025N03FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RTR025N03FRA
Código: QZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 3.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RTR025N03FRA
RTR025N03FRA Datasheet (PDF)
rtr025n03fra.pdf
RTR025N03FRARTR025N03TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTR025N03FRARTR025N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3). (1) (2)0.95 0.953) Low voltage drive (2.5V drive). 0.161.9(1) Gate Each lead ha
rtr025n03.pdf
RTR025N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR025N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7( ) Features 31) Low On-resistance. 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3). ( ) ( )1 20.95 0.953) Low voltage drive (2.5V drive). 0.161.9(1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbrevi
rtr025n03tl.pdf
RTR025N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR025N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7( ) Features 31) Low On-resistance. 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3). ( ) ( )1 20.95 0.953) Low voltage drive (2.5V drive). 0.161.9(1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbrevi
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RTR025N03TLwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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