RV2C010UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RV2C010UN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
Paquete / Cubierta: VML1006
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RV2C010UN
RV2C010UN Datasheet (PDF)
rv2c010un.pdf
RV2C010UNDatasheetNch 20V 1A Power MOSFETlOutlinel VML1006VDSS20VRDS(on)(Max.) 470m ID 1.0A PD400mW lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(VML1006).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Fre
rv2c014bc.pdf
RV2C014BCDatasheetPch -20V -1.4A Small Signal MOSFETlOutlinel DFN1006-3VDSS-20V SC-101RDS(on)(Max.)300m VML1006ID1.4APD600mW lInner circuitllFeaturesl1) Low on - Resistance, High Current.2) High Power small mold Package(DFN1006).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin
rv2c001zp.pdf
RV2C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-20VVML1006(3) RDS(on) (Max.)3.8WID-100mA(2) PD100mW(1) lFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(-1.2V) makes this device ideal for partable equipment.(1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION
rv2c002un.pdf
RV2C002UN Nch 20V 180mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS20VVML1006(3) RDS(on) (Max.)2.0WID180mA(2) PD100mW(1) lFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this device ideal for partable equipment.(1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE
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