Справочник MOSFET. RV2C010UN

 

RV2C010UN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RV2C010UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: VML1006

 Аналог (замена) для RV2C010UN

 

 

RV2C010UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2649K  rohm
 rv2c010un.pdf

RV2C010UN RV2C010UN

RV2C010UNDatasheetNch 20V 1A Power MOSFETlOutlinel VML1006VDSS20VRDS(on)(Max.) 470m ID 1.0A PD400mW lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(VML1006).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Fre

 8.1. Size:2444K  rohm
 rv2c014bc.pdf

RV2C010UN RV2C010UN

RV2C014BCDatasheetPch -20V -1.4A Small Signal MOSFETlOutlinel DFN1006-3VDSS-20V SC-101RDS(on)(Max.)300m VML1006ID1.4APD600mW lInner circuitllFeaturesl1) Low on - Resistance, High Current.2) High Power small mold Package(DFN1006).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin

 9.1. Size:603K  rohm
 rv2c001zp.pdf

RV2C010UN RV2C010UN

RV2C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-20VVML1006(3) RDS(on) (Max.)3.8WID-100mA(2) PD100mW(1) lFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(-1.2V) makes this device ideal for partable equipment.(1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION

 9.2. Size:581K  rohm
 rv2c002un.pdf

RV2C010UN RV2C010UN

RV2C002UN Nch 20V 180mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS20VVML1006(3) RDS(on) (Max.)2.0WID180mA(2) PD100mW(1) lFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this device ideal for partable equipment.(1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top