RVQ040N05TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RVQ040N05TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 21 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
Encapsulados: TSMT6
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RVQ040N05TR datasheet
rvq040n05tr.pdf
RVQ040N05 Nch 45V 4A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS TSMT6 45V (5) (4) RDS(on) (Max.) 53mW (1) ID 4A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit (1) Drain 1) Low on - resistance. (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 E
rvq040n05.pdf
4V Drive Nch MOSFET RVQ040N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol QG Switching Packaging specif
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History: TK13H90A1
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