RVQ040N05TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RVQ040N05TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 21 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RVQ040N05TR

RVQ040N05TR Datasheet (PDF)

..1. Size:604K rohm
rvq040n05tr.pdf

RVQ040N05 Nch 45V 4A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS TSMT6 45V(5) (4) RDS(on) (Max.)53mW(1) ID4A(2) PD1.25W(3) lFeatures lInner circuit(1) Drain 1) Low on - resistance.(2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 E

5.1. Size:208K rohm
rvq040n05.pdf

4V Drive Nch MOSFET RVQ040N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space savingsmall surface mount package (TSMT6). 0~0.1 (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : QGSwitching Packaging specif

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: