RZL035P01TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RZL035P01TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TUMT6
Búsqueda de reemplazo de RZL035P01TR MOSFET
RZL035P01TR Datasheet (PDF)
rzl035p01tr.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RZL035P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : YB Application Switching Packaging specifications Package TapingType Code TRBasic ordering unit (pieces) 3000RZL035P01 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Inne
Otros transistores... RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , IRF9640 , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 .
History: RZL025P01TR | 2SK1191 | 2SK579S
History: RZL025P01TR | 2SK1191 | 2SK579S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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