Справочник MOSFET. RZL035P01TR

 

RZL035P01TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZL035P01TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RZL035P01TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  rohm
 rzl035p01tr.pdf pdf_icon

RZL035P01TR

1.5V Drive Pch MOSFET RZL035P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : YB Application Switching Packaging specifications Package TapingType Code TRBasic ordering unit (pieces) 3000RZL035P01 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Inne

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.