SC3018 Todos los transistores

 

SC3018 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SC3018

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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SC3018 datasheet

 ..1. Size:328K  lzg
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SC3018

 9.1. Size:320K  toshiba
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SC3018

2SC3011 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3011 UHF C Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm High gain S21e 2 = 12dB (typ.) Low noise figure NF = 2.3dB (typ.), f = 1 GHz High fT f = 6.5 GHz T Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 7

 9.2. Size:28K  no
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SC3018

 9.3. Size:1244K  kexin
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SC3018

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC3011 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=30mA Collector Emitter Voltage VCEO=7V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collec

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History: PSP06N70 | TK55D10J1 | SD403CY | 2SK2503 | DMP4047SK3 | BRD7N65S | WMQ50N04T1

 

 

 

 

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