SCH2825 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SCH2825
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: SCH6
Búsqueda de reemplazo de SCH2825 MOSFET
SCH2825 Datasheet (PDF)
sch2825.pdf

SCH2825Ordering number : ENA1006ASANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : N-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeSCH2825General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting [MOSFET] Low ON-resistance Ultrahi
Otros transistores... RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , 5N50 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP .
History: ZVP4525E6 | BUK6209-30C | SFW9Z14 | WMJ12N105C2 | SD2933W | ZXMN3B04N8TC | CM10N40
History: ZVP4525E6 | BUK6209-30C | SFW9Z14 | WMJ12N105C2 | SD2933W | ZXMN3B04N8TC | CM10N40



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g