SCH2825 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SCH2825
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: SCH6
Búsqueda de reemplazo de SCH2825 MOSFET
SCH2825 Datasheet (PDF)
sch2825.pdf

SCH2825Ordering number : ENA1006ASANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : N-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeSCH2825General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting [MOSFET] Low ON-resistance Ultrahi
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History: VS3640DE | SSF2316E



Liste
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