SIR172ADP Todos los transistores

 

SIR172ADP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR172ADP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 202 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR172ADP datasheet

 ..1. Size:494K  vishay
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SIR172ADP

SiR172ADP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a, g Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 0.0085 at VGS = 10 V 24 30 12.8 nC Optimized for High-Side Synchronous Rectifier 0.0105 at VGS = 4.5 V 24 Operation 100 % Rg and UIS Tes

 8.1. Size:488K  vishay
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SIR172ADP

SiR172DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0089 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 30 9.8 nC 0.0124 at VGS = 4.5 V 20 with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchr

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