SIR172ADP Todos los transistores

 

SIR172ADP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR172ADP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 202 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIR172ADP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  vishay
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SIR172ADP

SiR172ADPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a, g Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile0.0085 at VGS = 10 V 2430 12.8 nC Optimized for High-Side Synchronous Rectifier 0.0105 at VGS = 4.5 V 24Operation 100 % Rg and UIS Tes

 8.1. Size:488K  vishay
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SIR172ADP

SiR172DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0089 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 30 9.8 nC0.0124 at VGS = 4.5 V 20with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchr

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History: QM3024M6 | DMG7430LFG | 3LN01SS | SSM2307G | RS1G150MN | AP4506GEM | BL5N135-K

 

 
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