Справочник MOSFET. SIR172ADP

 

SIR172ADP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR172ADP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR172ADP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  vishay
 sir172adp.pdf pdf_icon

SIR172ADP

SiR172ADPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a, g Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile0.0085 at VGS = 10 V 2430 12.8 nC Optimized for High-Side Synchronous Rectifier 0.0105 at VGS = 4.5 V 24Operation 100 % Rg and UIS Tes

 8.1. Size:488K  vishay
 sir172dp.pdf pdf_icon

SIR172ADP

SiR172DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0089 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 30 9.8 nC0.0124 at VGS = 4.5 V 20with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchr

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.