SIR172ADP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIR172ADP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 23 ns
Выходная емкость (Cd): 202 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIR172ADP Datasheet (PDF)
sir172adp.pdf
SiR172ADPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a, g Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile0.0085 at VGS = 10 V 2430 12.8 nC Optimized for High-Side Synchronous Rectifier 0.0105 at VGS = 4.5 V 24Operation 100 % Rg and UIS Tes
sir172dp.pdf
SiR172DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0089 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 30 9.8 nC0.0124 at VGS = 4.5 V 20with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchr
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
