SIR172ADP - описание и поиск аналогов

 

SIR172ADP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR172ADP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR172ADP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR172ADP даташит

 ..1. Size:494K  vishay
 sir172adp.pdf pdf_icon

SIR172ADP

SiR172ADP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a, g Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 0.0085 at VGS = 10 V 24 30 12.8 nC Optimized for High-Side Synchronous Rectifier 0.0105 at VGS = 4.5 V 24 Operation 100 % Rg and UIS Tes

 8.1. Size:488K  vishay
 sir172dp.pdf pdf_icon

SIR172ADP

SiR172DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0089 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 30 9.8 nC 0.0124 at VGS = 4.5 V 20 with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchr

Другие MOSFET... SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , IRFZ44 , SIR172DP , SIR316DP , SIR330DP , SIR401DP , SIR402DP , SIR403EDP , SIR404DP , SIR406DP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.