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SIR408DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR408DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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Principales características: SIR408DP

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SIR408DP

SiR408DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0063 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 50a 25 9.3 nC 100 % Rg Tested 0.008 at VGS = 4.5 V 50a 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICATIO

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SIR408DP

New Product SiR401DP Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0032 at VGS = - 10 V - 50 100% Rg and UIS Tested - 20 0.0042 at VGS = - 4.5 V - 50 97 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0077 at VGS = -

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SIR408DP

SiR402DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.006 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 35 30 12 nC 100 % Rg Tested 0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICATIONS S

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SIR408DP

New Product SiR404DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.00160 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.00175 at VGS = 4.5 V 20 60 64.5 nC 100 % Rg Tested 0.00225 at VGS = 2.5 V 60 100 % UIS Tested 2.5 V and 3.

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