SIR414DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIR414DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR414DP

SIR414DP Datasheet (PDF)

..1. Size:337K vishay
sir414dp.pdf

New ProductSiR414DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0028 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET40 38 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Synchronous Rectificat

9.1. Size:303K vishay
sir410dp.pdf

SiR410DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested20 12.7 nC 100 % UIS Tested0.0063 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Notebook- POLS6.15 mm 5.15 mm1 DS2S3

9.2. Size:471K vishay
sir410d.pdf

9.3. Size:107K vishay
sir418dp.pdf

SiR418DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) Qg Optimized0.005 at VGS = 10 V 4040 24 100 % Rg Tested0.006 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Conver

9.4. Size:306K vishay
sir416dp.pdf

New ProductSiR416DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0038 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 40 28.2 nC0.0042 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 APPLICAT

9.5. Size:323K vishay
sir412dp.pdf

SiR412DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK 25 4.9 nC0.015 at VGS = 4.5 V 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchrono

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History: STU16L01

Liste

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