Справочник MOSFET. SIR414DP

 

SIR414DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIR414DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SIR414DP

 

 

SIR414DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  vishay
 sir414dp.pdf

SIR414DP SIR414DP

New ProductSiR414DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0028 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET40 38 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Synchronous Rectificat

 9.1. Size:303K  vishay
 sir410dp.pdf

SIR414DP SIR414DP

SiR410DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested20 12.7 nC 100 % UIS Tested0.0063 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Notebook- POLS6.15 mm 5.15 mm1 DS2S3

 9.2. Size:471K  vishay
 sir410d.pdf

SIR414DP SIR414DP

SiR410DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested20 12.7 nC 100 % UIS Tested0.0063 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Notebook- POLS6.15 mm 5.15 mm1 DS2S3

 9.3. Size:107K  vishay
 sir418dp.pdf

SIR414DP SIR414DP

SiR418DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) Qg Optimized0.005 at VGS = 10 V 4040 24 100 % Rg Tested0.006 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Conver

 9.4. Size:306K  vishay
 sir416dp.pdf

SIR414DP SIR414DP

New ProductSiR416DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0038 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 40 28.2 nC0.0042 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 APPLICAT

 9.5. Size:323K  vishay
 sir412dp.pdf

SIR414DP SIR414DP

SiR412DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK 25 4.9 nC0.015 at VGS = 4.5 V 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchrono

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top