Справочник MOSFET. SIR414DP

 

SIR414DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR414DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR414DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  vishay
sir414dp.pdfpdf_icon

SIR414DP

New ProductSiR414DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0028 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET40 38 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Synchronous Rectificat

 9.1. Size:303K  vishay
sir410dp.pdfpdf_icon

SIR414DP

SiR410DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested20 12.7 nC 100 % UIS Tested0.0063 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Notebook- POLS6.15 mm 5.15 mm1 DS2S3

 9.2. Size:471K  vishay
sir410d.pdfpdf_icon

SIR414DP

SiR410DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested20 12.7 nC 100 % UIS Tested0.0063 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Notebook- POLS6.15 mm 5.15 mm1 DS2S3

 9.3. Size:107K  vishay
sir418dp.pdfpdf_icon

SIR414DP

SiR418DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) Qg Optimized0.005 at VGS = 10 V 4040 24 100 % Rg Tested0.006 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Conver

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.