SIR416DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR416DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR416DP datasheet

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SIR416DP

New Product SiR416DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.0038 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 40 28.2 nC 0.0042 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICAT

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SIR416DP

SiR410DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested 20 12.7 nC 100 % UIS Tested 0.0063 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 DC/DC Converter - Notebook - POL S 6.15 mm 5.15 mm 1 D S 2 S 3

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SIR416DP

New Product SiR414DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0028 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 40 38 nC 0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Synchronous Rectificat

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SIR416DP

SiR410DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested 20 12.7 nC 100 % UIS Tested 0.0063 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 DC/DC Converter - Notebook - POL S 6.15 mm 5.15 mm 1 D S 2 S 3

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