SIR416DP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIR416DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SIR416DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIR416DP даташит
sir416dp.pdf
New Product SiR416DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.0038 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 40 28.2 nC 0.0042 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICAT
sir410dp.pdf
SiR410DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested 20 12.7 nC 100 % UIS Tested 0.0063 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 DC/DC Converter - Notebook - POL S 6.15 mm 5.15 mm 1 D S 2 S 3
sir414dp.pdf
New Product SiR414DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0028 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 40 38 nC 0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Synchronous Rectificat
sir410d.pdf
SiR410DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested 20 12.7 nC 100 % UIS Tested 0.0063 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 DC/DC Converter - Notebook - POL S 6.15 mm 5.15 mm 1 D S 2 S 3
Другие MOSFET... SIR402DP , SIR403EDP , SIR404DP , SIR406DP , SIR408DP , SIR410DP , SIR412DP , SIR414DP , 2N7000 , SIR418DP , SIR424DP , SIR426DP , SIR428DP , SIR432DP , SIR436DP , SIR438DP , SIR440DP .
History: UPA1819GR | TPC8017-H | AP6P090H
History: UPA1819GR | TPC8017-H | AP6P090H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent






