Справочник MOSFET. SIR416DP

 

SIR416DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR416DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR416DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR416DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  vishay
 sir416dp.pdf pdf_icon

SIR416DP

New ProductSiR416DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0038 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 40 28.2 nC0.0042 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 APPLICAT

 9.1. Size:303K  vishay
 sir410dp.pdf pdf_icon

SIR416DP

SiR410DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested20 12.7 nC 100 % UIS Tested0.0063 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Notebook- POLS6.15 mm 5.15 mm1 DS2S3

 9.2. Size:337K  vishay
 sir414dp.pdf pdf_icon

SIR416DP

New ProductSiR414DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0028 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET40 38 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Synchronous Rectificat

 9.3. Size:471K  vishay
 sir410d.pdf pdf_icon

SIR416DP

SiR410DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0048 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested20 12.7 nC 100 % UIS Tested0.0063 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Notebook- POLS6.15 mm 5.15 mm1 DS2S3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIR402DP , SIR403EDP , SIR404DP , SIR406DP , SIR408DP , SIR410DP , SIR412DP , SIR414DP , IRF9540 , SIR418DP , SIR424DP , SIR426DP , SIR428DP , SIR432DP , SIR436DP , SIR438DP , SIR440DP .

History: RFL1N10L | 2SK3496-01MR | SVS80R430FJDE3

 

 
Back to Top

 


 
.