SIR426DP Todos los transistores

 

SIR426DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR426DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR426DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  vishay
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SIR426DP

SiR426DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0105 at VGS = 10 V Material categorization:30a40 9.3 nCFor definitions of compliance please see0.0125 at VGS = 4.5 V 30awww.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8APPLICATIONSD DC/DC C

 9.1. Size:491K  vishay
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SIR426DP

SiR422DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0066 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET4040 16.1 nC 100 % Rg Tested0.008 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATION

 9.2. Size:324K  vishay
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SIR426DP

SiR424DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0055 at VGS = 10 V 30a TrenchFET Power MOSFET20 9.6 nC 100 % Rg Tested0.0074 at VGS = 4.5 V 30a 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS

 9.3. Size:122K  vishay
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SIR426DP

New ProductSiR428DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0075 at VGS = 10 V 30g TrenchFET Power MOSFET30 9.5 nC0.0095 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested30g 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

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History: PPM523T201E0 | IXFX44N80P | TK3A65D

 

 
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