SIR432DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR432DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0306 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR432DP datasheet

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SIR432DP

SiR432DP Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0306 at VGS = 10 V 28.4 100 15.5 nC 100 % Rg Tested 0.0327 at VGS = 7.5 V 27.5 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 AP

 9.1. Size:494K  vishay
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SIR432DP

SiR436DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0046 at VGS = 10 V 40 100 % Rg Tested 25 13 nC 100 % UIS Tested 0.0062 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low-Side Switch Server, VRM S 6.15 mm 5.15 mm D 1 S 2 S 3 G 4

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SIR432DP

New Product SiR438DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0018 at VGS = 10 V 60 100 % Rg Tested 25 32.6 nC 0.0023 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Server - Low S

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