SIR436DP Todos los transistores

 

SIR436DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR436DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR436DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  vishay
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SIR436DP

SiR436DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0046 at VGS = 10 V 40 100 % Rg Tested25 13 nC 100 % UIS Tested0.0062 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low-Side Switch Server, VRMS6.15 mm 5.15 mmD1S2S3G4

 9.1. Size:494K  vishay
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SIR436DP

SiR432DPVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0306 at VGS = 10 V 28.4100 15.5 nC 100 % Rg Tested0.0327 at VGS = 7.5 V 27.5 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8AP

 9.2. Size:338K  vishay
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SIR436DP

New ProductSiR438DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0018 at VGS = 10 V 60 100 % Rg Tested25 32.6 nC0.0023 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Server- Low S

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History: FCPF250N65S3R0L

 

 
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