PN4416 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PN4416

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm

Encapsulados: TO92

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PN4416 datasheet

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PN4416

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PN4416; PN4416A N-channel field-effect transistor December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel field-effect transistor PN4416; PN4416A FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low noise SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT Interchangeability of drain and VDS

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PN4416

N-Channel JFET High Frequency Amplifier CORPORATION 2N4416 / 2N4416A / PN4416 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise noted) A Low Noise Low Feedback Capacitance Gate-Source or Gate-Drain Voltage Low Output Capacitance 2N4416, PN4416 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -30V High Transconductance 2N4416A . . . .

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PN4416

SPN4412WS8RG www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

Otros transistores... PMBFJ211, PMBFJ212, PMBFJ308, PMBFJ309, PMBFJ310, PN4391, PN4392, PN4393, 13N50, PN4416A, PSMN003-25W, RF1K49086, RF1K49088, RF1K49090, RF1K49092, RF1K49093, RF1K49154