PN4416A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PN4416A
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PN4416A

PN4416A Datasheet (PDF)

..1. Size:70K philips
pn4416 pn4416a cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPN4416; PN4416AN-channel field-effect transistorDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel field-effect transistor PN4416; PN4416AFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low noiseSYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT Interchangeability of drain andVDS

8.1. Size:23K calogic
2n4416-a pn4416.pdf

N-Channel JFETHigh Frequency AmplifierCORPORATION2N4416 / 2N4416A / PN4416FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise noted)A Low Noise Low Feedback Capacitance Gate-Source or Gate-Drain Voltage Low Output Capacitance 2N4416, PN4416 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -30V High Transconductance 2N4416A . . . .

9.1. Size:1433K cn vbsemi
spn4412ws8rg.pdf

SPN4412WS8RGwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

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Liste

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