PN4416A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PN4416A
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 35 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.015 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 0.8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 150 Ohm
Тип корпуса: TO92
PN4416A Datasheet (PDF)
pn4416 pn4416a cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPN4416; PN4416AN-channel field-effect transistorDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel field-effect transistor PN4416; PN4416AFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low noiseSYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT Interchangeability of drain andVDS
2n4416-a pn4416.pdf
N-Channel JFETHigh Frequency AmplifierCORPORATION2N4416 / 2N4416A / PN4416FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise noted)A Low Noise Low Feedback Capacitance Gate-Source or Gate-Drain Voltage Low Output Capacitance 2N4416, PN4416 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -30V High Transconductance 2N4416A . . . .
spn4412ws8rg.pdf
SPN4412WS8RGwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch
Другие MOSFET... PMBFJ212 , PMBFJ308 , PMBFJ309 , PMBFJ310 , PN4391 , PN4392 , PN4393 , PN4416 , AON7410 , PSMN003-25W , RF1K49086 , RF1K49088 , RF1K49090 , RF1K49092 , RF1K49093 , RF1K49154 , RF1K49156 .
