SIR476DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR476DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1510 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR476DP datasheet

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SIR476DP

New Product SiR476DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.0017 at VGS = 10 V 60 COMPLIANT 25 42.5 nC 100 % Rg Tested 0.0021 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 VRM, POL, Server High C

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SIR476DP

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SIR476DP

SiR472ADP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a, g Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0090 at VGS = 10 V 18 30 9 nC Optimized for high-side switching in 0.0115 at VGS = 4.5 V 18 synchronous buck converters PowerPAK SO-8 Single Material categorizat

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SIR476DP

New Product SiR470DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.0023 at VGS = 10 V 60 COMPLIANT 40 45.5 nC 100 % Rg Tested 0.00265 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Secondary Side Synchronous Rectifi

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