SIR476DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIR476DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 89 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR476DP

SIR476DP Datasheet (PDF)

..1. Size:478K vishay
sir476dp.pdf

New ProductSiR476DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0017 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 25 42.5 nC 100 % Rg Tested0.0021 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 VRM, POL, Server High C

9.1. Size:492K vishay
sir474dp.pdf

SiR474DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0095 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK 30 8 nC0.012 at VGS = 4.5 V 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous RectifierPowerPAK SO-8Operation

9.2. Size:385K vishay
sir472adp.pdf

SiR472ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a, g Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0090 at VGS = 10 V 1830 9 nC Optimized for high-side switching in 0.0115 at VGS = 4.5 V 18synchronous buck convertersPowerPAK SO-8 Single Material categorizat

9.3. Size:303K vishay
sir470dp.pdf

New ProductSiR470DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0023 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 40 45.5 nC 100 % Rg Tested0.00265 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Secondary Side Synchronous Rectifi

9.4. Size:301K vishay
sir472dp.pdf

SiR472DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.012 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT30 6.8 nC0.015 at VGS = 4.5 V 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous RectifierPowerPAK SO-

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STS65R580FS2 | HY3312M

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: